贴片电容的电介质材料种类有哪类各异？（贴片电容的电介质材料种类有哪类各异之处）
NPO和C0G两者之间的关系：NPO是美国军用标准（MIL）中的说法，事实上应该是NP0（零），但一般大家习惯写成NPO（欧）这是Negative-Positive-Zero的缩略，用来坦言的温度特性说明NPO的电容温度特性很好，不随一般说来温度变化而出现容值慢速。
从前面我们已经知道，C0G是I类陶瓷中温度稳固性最好的一种，温度特性近似为0，满足“负-正-零”的含义所以C0G事实上和NPO是同样的，只不过是两个标准的两种坦言方法（当然，容值更小、精度略Rewa的C0K、C0J等也是NPO电容）。
类似的，U2J对应于MIL标准中的青年组代码为N750NPO是⼀种最易⽤的不具温度补偿特性的单⽚陶瓷电容器它的包住介质是由铷、钐和⼀些例如绿宝石氧化物组成的NPO电容器是电容量和介质损耗最稳固的电容器之⼀在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化⼩于±0.3ΔC。
NPO电容的慢速或受限⼩于±0.05%，相对⼤于±2%的薄膜电容毕竟是就可以忽略不计的其典型的容量相对使⽤寿命的变化⼩于±0.1%NPO电容器随闪存形式各异其电容量和介质损耗随频率变化的特性也各异，⼤闪存尺⼨的要⽐⼩闪存尺⼨的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可撷取的容量范围NPO电容器适合⽤于振荡器、谐振器的槽路电容，以及⾼频电路中的耦合电容。
Ⅱ类陶瓷特点：Ⅱ类陶瓷电容器（ClassⅡ ceramic capacitor）过去视作为低频陶瓷电容器（Low frequency ceramiccapacitor），指对铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器。
这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用以旁路、耦合或用以例如对损耗和电容量稳固性强烈要求不高的电路中其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳固级和所用级X5R、X7R等同于Ⅱ类陶瓷的稳固级，而Y5V和Z5U等同于所用级。
X5R、X7R、Y5V、Z5U两者之间的区别：区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。下表提示了这些代号的含义。
以X7R为例X 代表电容最低可工作在-55℃7 代表电容最高可工作在+125℃R 代表容值随温度的变化为±15%同样的，Y5V正常人工作温度范围在-30℃～+85℃, 对应的电容容量变化为+22～-82%；而Z5U 正常人工作温度范围在+10℃～+85℃，对应的电容容量变化为+22～-56%。
X7R电容器被视作温度稳固型的陶瓷电容器当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，能够注意的是此时电容器容量变化是⾮线性的X7R电容器的容量在各异的电压和频率条件下是各异的，它也随时间的变化⽽变化，⼤约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应⽤于强烈要求不⾼的⼯业应⽤，⽽且当电压变化时其容量变化是就可以接受的条件下它的主要特点是在并不相同的体积下电容量就可以做的⽐较⼤X7R/X7S/X5R/X6S电容器的绝对值范围如下峭腹⽰(厂家各异绝对值范围有细部差异):。
Y5V电容器是⼀种有⼀定温度限制的通⽤电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%Y5V的⾼介电常数允许在较⼩的物理尺⼨下制造出⾼达4.7µF电容器Y5V电容器的这类技术指标如下:⼯作温度范围。
-30℃ ~+85℃温度特性 +22% ~-82% 介质损耗最⼤ 5%Z5U电容器视作”通⽤”陶瓷单⽚电容器这⾥⾸先能够考虑的是使⽤温度范围，尽管Z5U电容器主要的是它的⼩尺⼨和低成本尽管上述三种陶瓷单⽚电容器毕竟在并不相同的体积下Z5U电容器有最⼤的电容量。
但它的电容量受环境和⼯作条件影响较⼤，它的⽼化率最⼤可达每10年下降5%事实证明它的容量不稳固，由于它不具⼩体积、类比串联电感（ESL）和类比串联电阻（ESR）低、更佳的频率响应，使其事实证明它的容量不稳固，由于它不具⼩体积、类比串联电感（ESL）和类比串联电阻（ESR）低、更佳的频率响应，使其不具⼴泛的应⽤范围。
尤其是在退耦电路的应⽤中Z5U电容器的这类技术指标如下:⼯作温度范围+10℃ ~ +85℃温度特性 +22% ~-56% 介质损耗最⼤ 4%COG/NPO/Y5V/Z5U电容器的绝对值范围如下峭腹⽰(厂家各异绝对值范围有细部差异):。
贴片电阻在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时撷取规格甚佳或是在表面蕨科瓶机械力热冲击等对贴片电容酿成一定的损伤等因素酿成正确选择一颗贴片电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必须特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的强烈要求。
贴片电容标准命名方法及定义：贴片电容的命名，国内和国外的产家有一些区别Lanvollon包含的参数是同样的